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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | diodo/transistor | ||
Tensión drenaje-fuente | 200V | ||
Corriente del drenaje | 225A | ||
Carcasa | SP6C | ||
Topología | medio puente MOSFET + diodos en serie + diodos paralelos | ||
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | ||
Resistencia en estado de transferencia | 7,2mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 1,2kA | ||
Poder disipado | 1,25kW | ||
Tecnología | POWER MOS 7® | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |