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Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 47A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 50mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 151A | |
Poder disipado | 223W | |
Tecnología | SiC | |
Clase de canal | enriquecido | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Montaje mecánico | atornillado |