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B2M030120N

Módulo; transistor individual; 1,2kV; 47A; SOT227B; atornillado

El productor: BASiC SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
B2M030120N
Símbolo TME:
B2M030120N

Especificación

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
47A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Polarización
unipolar
Resistencia en estado de transferencia
50mΩ
Corriente del drenaje en impulso
151A
Poder disipado
223W
Tecnología
SiC
Clase de canal
enriquecido
Tensión puerta-fuente
-4...18V
Montaje mecánico
atornillado
Propiedades de elementos semiconductores
  • derivación Kelvin
  • integrated anti-parallel diode
Peso bruto1 g
Certificados

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca

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B2M030120N
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