B2M032120Y
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M032120Y
Símbolo TME:
B2M032120Y
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de transistor | N-MOSFET | ||
Tecnología | SiC | ||
Polarización | unipolar | ||
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | ||
Corriente del drenaje | 60A | ||
Corriente del drenaje en impulso | 190A | ||
Poder disipado | 375W | ||
Carcasa | TO247PLUS-4 | ||
Tensión puerta-fuente | -4...18V | ||
Resistencia en estado de transferencia | 50mΩ | ||
Montaje | THT | ||
Carga de puerta | 40nC | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |
Peso bruto7.01 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* B2M032120YNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
51 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 17.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 17.63 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 15.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 15.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 14.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 14.03 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 12.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 12.63 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und