NOVEDAD
B2M600170H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M600170H
Símbolo TME:
B2M600170H
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,7kV | |
Corriente del drenaje | 5A | |
Corriente del drenaje en impulso | 10A | |
Poder disipado | 75W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,6Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 14nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto6.2 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* B2M600170HNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.13 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 1.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 1.00 USD
Precio neto para cantidades a partir de 120 und - 0.91 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 120 und - 0.91 USD
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 0.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 0.85 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und