IXBN75N170
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBN75N170
Símbolo TME:
IXBN75N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,7kV | |
Corriente de colector | 75A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 680A | |
Poder disipado | 625W | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.09 g
Certificados
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* IXBN75N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
1 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 114.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 114.46 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 102.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 102.84 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 95.99 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 95.99 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und