+1 500 000 productos en oferta

6000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Les informamos que el día 11.06.2026. de 18:00 -18:30 (CEST) pueden ocurrir problemas con acceso a servicio y a pedidos en línea. Disculpen las molestias.

Procesamiento de datos en progreso

Su límite de crédito ha sido sobrepasado. Su pedido está introducido en el sistema pero no se realizará. No se realizara tampoco el horario para productos pedidos. Contáctese con un empleado de TME.

Se ha realizado una operación con éxito.

Ocurrió un error inesperado. Inténtalo de nuevo.

Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	150A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	190A
Poder disipado	660W
Tecnología	NPT
Montaje mecánico	atornillado

IXDN75N120

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; 660W

Especificación