IXDN75N120
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; 660W
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXDN75N120
Símbolo TME:
IXDN75N120
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | ||
Corriente de colector | 150A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 190A | ||
Poder disipado | 660W | ||
Tecnología | NPT | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto34.72 g
Certificados
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* IXDN75N120Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.13 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und