IXFN110N85X
Módulo; transistor individual; 850V; 110A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN110N85X
Símbolo TME:
IXFN110N85X
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 850V | ||
Corriente del drenaje | 110A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 33mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 220A | ||
Poder disipado | 1,17kW | ||
Tecnología | HiPerFET™, X-Class | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 425nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 205ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.29 g
Certificados
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* IXFN110N85XNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 80.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 80.74 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 74.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 74.49 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 71.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 71.89 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und