IXFN120N65X2
Módulo; transistor individual; 650V; 108A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN120N65X2
Símbolo TME:
IXFN120N65X2
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 650V | ||
Corriente del drenaje | 108A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 24mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 240A | ||
Poder disipado | 890W | ||
Tecnología | HiPerFET™, X2-Class | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 240nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 220ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.11 g
Certificados
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* IXFN120N65X2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 42.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 42.71 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 40.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 40.31 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und