IXFN132N50P3
Módulo; transistor individual; 500V; 112A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN132N50P3
Símbolo TME:
IXFN132N50P3
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 500V | ||
Corriente del drenaje | 112A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 39mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 330A | ||
Poder disipado | 1,5kW | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 250nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 250ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.28 g
Certificados
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* IXFN132N50P3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
278 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 44.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 44.90 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 42.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 42.15 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 40.44 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 40.44 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 37.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 37.11 USD
Producto difícil a conseguir
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und