IXFN140N30P
Módulo; transistor individual; 300V; 110A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN140N30P
Símbolo TME:
IXFN140N30P
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 300V | ||
Corriente del drenaje | 110A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 24mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 300A | ||
Poder disipado | 700W | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 185nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 200ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.02 g
Certificados
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* IXFN140N30PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
7 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 38.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 38.15 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 32.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 32.78 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 31.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 31.30 USD
Producto difícil a conseguir
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und