IXFN180N25T
Módulo; transistor individual; 250V; 168A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN180N25T
Símbolo TME:
IXFN180N25T
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 250V | ||
Corriente del drenaje | 168A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 12,9mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 500A | ||
Poder disipado | 900W | ||
Tecnología | GigaMOS™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 364nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 200ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.15 g
Certificados
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* IXFN180N25TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
31 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 31.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 31.62 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 25.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 25.16 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 22.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 22.59 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 21.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 21.17 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und