IXFN210N20P
Módulo; transistor individual; 200V; 188A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN210N20P
Símbolo TME:
IXFN210N20P
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 200V | ||
Corriente del drenaje | 188A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 10,5mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 600A | ||
Poder disipado | 1,07kW | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 255nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 200ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.01 g
Certificados
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* IXFN210N20PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
299 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 44.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 44.70 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 40.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 40.80 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 39.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 39.18 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 36.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 36.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 35.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 35.17 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und