IXFN210N30P3
Módulo; transistor individual; 300V; 192A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN210N30P3
Símbolo TME:
IXFN210N30P3
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 300V | ||
Corriente del drenaje | 192A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 14,5mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 550A | ||
Poder disipado | 1,5kW | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar3™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 268nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 250ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.05 g
Certificados
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* IXFN210N30P3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
1 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 37.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 37.19 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 33.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 33.84 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 31.91 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 31.91 USD
Precio neto para cantidades a partir de 200 und - 30.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 200 und - 30.80 USD
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und