IXFN210N30X3
Módulo; transistor individual; 300V; 210A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN210N30X3
Símbolo TME:
IXFN210N30X3
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 300V | ||
Corriente del drenaje | 210A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 4,6mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 650A | ||
Poder disipado | 695W | ||
Tecnología | HiPerFET™, X3-Class | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 375nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 190ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±20V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.14 g
Certificados
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* IXFN210N30X3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
12 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 49.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 49.41 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 46.91 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 46.91 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 45.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 45.59 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und