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Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 150V | ||
Corriente del drenaje | 240A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 5,2mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 600A | ||
Poder disipado | 830W | ||
Tecnología | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 460nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 140ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |