IXFN360N10T
Módulo; transistor individual; 100V; 360A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN360N10T
Símbolo TME:
IXFN360N10T
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 100V | ||
Corriente del drenaje | 360A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 2,6mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 900A | ||
Poder disipado | 830W | ||
Tecnología | GigaMOS™, HiPerFET™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 525nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 130ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.9 g
Certificados
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* IXFN360N10TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 30.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 30.97 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 26.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 26.24 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 24.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 24.09 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 22.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 22.90 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 21.94 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 21.94 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 undCartón = 60 und