IXFN44N100P
Módulo; transistor individual; 1kV; 37A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN44N100P
Símbolo TME:
IXFN44N100P
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 1kV | ||
Corriente del drenaje | 37A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,22Ω | ||
Corriente del drenaje en impulso | 110A | ||
Poder disipado | 890W | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 0,35µC | ||
Tiempo de disponibilidad | 300ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.12 g
Certificados
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* IXFN44N100PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
9 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.68 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 36.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 36.88 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und