IXFN60N80P
Módulo; transistor individual; 800V; 53A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN60N80P
Símbolo TME:
IXFN60N80P
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 800V | ||
Corriente del drenaje | 53A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,14Ω | ||
Corriente del drenaje en impulso | 150A | ||
Poder disipado | 1,04kW | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 250nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 250ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.31 g
Certificados
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* IXFN60N80PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 45.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 45.59 USD
Precio neto para cantidades a partir de 2 und - 43.87 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2 und - 43.87 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 42.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 42.27 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 40.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 40.89 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und