IXFN66N85X
Módulo; transistor individual; 850V; 65A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN66N85X
Símbolo TME:
IXFN66N85X
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 850V | ||
Corriente del drenaje | 65A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 65mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 140A | ||
Poder disipado | 830W | ||
Tecnología | HiPerFET™, X-Class | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 230nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 250ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.04 g
Certificados
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* IXFN66N85XNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
1 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 52.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 52.00 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 45.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 45.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 41.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 41.24 USD
Método de envasado por el fabricanteRulo = 10 und