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Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Tensión drenaje-fuente | 1kV | ||
Corriente del drenaje | 74A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Resistencia en estado de transferencia | 66mΩ | ||
Poder disipado | 1,17kW | ||
Tecnología | HiPerFET™ | ||
Tiempo de disponibilidad | 290ns | ||
Montaje mecánico | atornillado |