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Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 500V | ||
Corriente del drenaje | 62A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,1Ω | ||
Corriente del drenaje en impulso | 150A | ||
Poder disipado | 800W | ||
Tecnología | Linear™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 550nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 0,5µs | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |