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NXH450B100H4Q2F2PG

Módulo: IGBT; diodo SiC/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH450B100H4Q2F2PG
Símbolo TME:
NXH450B100H4Q2F2PG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo SiC/transistor
Tensión de retorno máx.
1kV
Corriente de colector
450A
Uso
inversor, para UPS
Montaje eléctrico
Press-Fit
Tensión entrada - emisor
±20V
Tecnología
SiC
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH450B100H4Q2F2PG
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