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Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 500V | ||
Corriente del drenaje | 60A | ||
Carcasa | TO240AA | ||
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 65mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 240A | ||
Poder disipado | 590W | ||
Tecnología | HiPerFET™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 405nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 250ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±20V | ||
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin | ||
Montaje mecánico | atornillado |