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IGBT - definición

El IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) es un elemento semiconductor de potencia que combina en su estructura las características de un transistor bipolar (BJT) y un transistor de puerta aislada (MOSFET). Está diseñado para proporcionar una alta eficiencia de conmutación, manteniendo al mismo tiempo una alta capacidad de transporte de corriente. Con esta combinación, el IGBT se utiliza ampliamente en sistemas de electrónica de potencia en los que son cruciales unas pérdidas de conducción bajas y una respuesta de conmutación rápida.

El IGBT tiene una entrada controlada por tensión, como un transistor MOSFET, lo que simplifica su circuito de control y reduce el consumo de energía de la puerta. Al mismo tiempo, en el estado de conducción, la estructura bipolar permite transportar corrientes importantes a una tensión de saturación relativamente baja, lo que se traduce en una elevada eficiencia energética. Un rasgo característico de este elemento es la presencia de una capa de tipo p en la estructura de potencia, que permite una conducción más eficiente de la corriente en el estado encendido.

En aplicaciones prácticas, los IGBT se utilizan en inversores, convertidores, SAI, sistemas de control de motores, sistemas HVDC y diversos tipos de equipos industriales. Su capacidad para funcionar a altas tensiones y corrientes los convierte en la solución preferida para aplicaciones de potencia de media y alta tensión. Las prestaciones de un IGBT, como el tiempo de conmutación, la pérdida de potencia o la resistencia a los fenómenos de sobrecarga, dependen de su diseño y de las condiciones de funcionamiento, incluidas la refrigeración y la tensión de alimentación.

Debido a su compleja estructura, los IGBT presentan fenómenos de desconexión retardada de la corriente asociados a la recombinación de la carga portadora en la parte bipolar, lo que afecta a las características dinámicas. No obstante, gracias al continuo desarrollo tecnológico, los transistores IGBT actuales alcanzan una eficiencia y fiabilidad muy elevadas, lo que permite su uso en sistemas de conversión y control de potencia cada vez más exigentes.

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