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Memristor (resistencia de memoria) es un elemento electrónico no lineal de dos terminales cuya resistencia depende de la carga eléctrica total que ha fluido a través de él a lo largo del tiempo. Esto significa que el memristor "recuerda" su historial de conducción y que su estado de conducción actual es función de las señales de corriente pasadas. Cuando se le retira la tensión, conserva su último valor de resistencia, lo que le confiere las propiedades de memoria no volátil.
El concepto de memristor fue introducido teóricamente por Leon Chua en 1971 como el cuarto elemento fundamental del circuito, junto con la resistencia, el condensador y Bobinas. Formalmente, se define como un elemento cuya resistencia depende del flujo magnético o de la tensión integral en función del tiempo. En la práctica física, los memristores se realizan más a menudo como estructuras semiconductoras o de óxido de película fina, en las que el cambio de resistencia se produce como resultado del desplazamiento de iones o de defectos en la estructura del material.
Este fenómeno se utiliza para almacenar información de forma analógica o discreta, sin necesidad de una fuente de alimentación de reserva. A diferencia de los chips de memoria clásicos, los memristores pueden almacenar datos y participar simultáneamente en el procesamiento de la información, lo que los convierte en candidatos para la realización de las llamadas arquitecturas de computación en memoria y computación neuromórfica.
Gracias a sus propiedades, los memristores encuentran aplicaciones en modernas tecnologías de memoria no volátil (por ejemplo, ReRAM), sinapsis artificiales en redes neuronales , circuitos lógicos de nueva generación y sistemas adaptativos. Su desarrollo abre nuevas posibilidades de miniaturización, ahorro de energía y realización de funciones difíciles de lograr con los componentes electrónicos convencionales .
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