Transistores de efecto de campo de unión (JFET) - definición
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) - definición
El transistor de efecto de campo de unión (Junction Field-Effect Transistor, JFET) es un elemento activo semiconductor, perteneciente a la familia de los Transistores unipolares, cuyo funcionamiento se basa en el control del flujo de corriente mediante un campo eléctrico. A diferencia de los Transistores bipolares, el JFET está controlado por tensión y los portadores que dominan la conducción son cargas de un solo tipo: electrones en estructuras de tipo n o huecos en estructuras de tipo p.
La estructura del JFET consta de un canal semiconductor por el que circula la corriente desde el drenaje (D) hasta la fuente (S), y un electrodo de puerta (G) que forma una unión p-n con el canal. En condiciones normales, el canal es conductor, y la aplicación de una tensión negativa a la puerta (para los JFET de tipo n) provoca la expansión de la capa de barrera y la disminución de la sección activa del canal. Esto tiene el efecto de reducir la corriente de drenaje. Cuando la tensión de puerta alcanza la denominada tensión de corte, el canal queda completamente bloqueado y cesa el flujo de corriente.
Un rasgo característico del JFET es su elevada impedancia de entrada, que se debe a que la puerta de la unión p-n está polarizada negativamente y prácticamente no consume corriente. Esto hace que los Transistores de este tipo sean ideales para circuitos de entrada de amplificadores de señal de baja potencia, circuitos selectivos y filtros analógicos. También se caracterizan por un bajo ruido de fondo, importante en circuitos de audio y medición.
El funcionamiento del JFET es lineal en una amplia gama de parámetros, y sus características de corriente-tensión dependen de la longitud y anchura del canal y del valor de la tensión de puerta. Parámetros como la corriente de drenaje máxima, la tensión de corte o la resistencia del canal determinan sus aplicaciones en circuitos electrónicos específicos.
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