B1D03120E
Diodo: rectificador de barrera Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B1D03120E
Símbolo TME:
B1D03120E
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de diodo | rectificador de barrera Schottky | |
Carcasa | TO252-2 | |
Tecnología | SiC | |
Montaje | SMD | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente conductiva | 3A | |
Estructura del semiconductor | diodo individual | |
Corriente conductiva máx. | 1,9V | |
Corriente de fuga | 20µA | |
Corriente en impulso max. | 30A | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Poder disipado | 39W |
Peso bruto1 g
Certificados
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* B1D03120ENúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.87 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.87 USD
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