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Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Clase de transistor	par complementario
Tensión drenaje-fuente	30/-30V
Corriente del drenaje	7/-5A
Poder disipado	1,6W
Carcasa	SO8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	40/80mΩ
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

FDS8958A

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V

Especificación