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Fabricante	INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	420A
Carcasa	AG-62MMHB
Topología	medio puente MOSFET
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	4,21mΩ
Corriente del drenaje en impulso	840A
Tecnología	CoolSiC™, SiC
Tensión puerta-fuente	-10...23V
Montaje mecánico	atornillado

FF2MR12KM1HPHPSA1

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 420A; AG-62MMHB; Idm: 840A

Especificación