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GD15PJY120L2S

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

Familia de productos

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD15PJY120L2S
Símbolo TME:
GD15PJY120L2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
15A
Carcasa
L2.2
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
30A
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto24.34 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD15PJY120L2S
15 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 37.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 37.55 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 33.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 33.25 USD
Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 29.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 29.88 USD
Precio neto para cantidades a partir de 24 und - 27.79 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24 und - 27.79 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteBandeja = 24 und