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Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Topología	medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.	650V
Corriente de colector	300A
Carcasa	C8 48mm
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	600A
Tecnología	Trench FS IGBT
Montaje mecánico	atornillado

GD300HFX65C8SN

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 300A

Especificación