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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	650V
Corriente del drenaje	78A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	30mΩ
Corriente del drenaje en impulso	200A
Poder disipado	595W
Tecnología	HiPerFET™, X2-Class
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	183nC
Tiempo de disponibilidad	200ns
Tensión puerta-fuente	±40V
Montaje mecánico	atornillado

IXFN100N65X2

Módulo; transistor individual; 650V; 78A; SOT227B; atornillado

Especificación