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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	600V
Corriente del drenaje	90A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	56mΩ
Corriente del drenaje en impulso	275A
Poder disipado	1,5kW
Tecnología	HiPerFET™, Polar3™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	254nC
Tiempo de disponibilidad	250ns
Tensión puerta-fuente	±40V
Montaje mecánico	atornillado

IXFN110N60P3

Módulo; transistor individual; 600V; 90A; SOT227B; atornillado

Especificación