IXFN150N65X2
Módulo; transistor individual; 650V; 145A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN150N65X2
Símbolo TME:
IXFN150N65X2
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 145A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 17mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 300A | |
Poder disipado | 1,04kW | |
Tecnología | HiPerFET™, X2-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 355nC | |
Tiempo de disponibilidad | 190ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.32 g
Certificados
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* IXFN150N65X2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 53.69 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 53.69 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 50.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 50.31 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und