IXFN27N120SK
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN27N120SK
Símbolo TME:
IXFN27N120SK
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 21,5A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 80mΩ | |
Tecnología | SiC | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 160nC | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto100 g
Certificados
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* IXFN27N120SKNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 59.81 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 59.81 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 52.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 52.89 USD