IXFN32N100Q3
Módulo; transistor individual; 1kV; 28A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN32N100Q3
Símbolo TME:
IXFN32N100Q3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1kV | |
Corriente del drenaje | 28A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,32Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 96A | |
Poder disipado | 780W | |
Tecnología | HiPerFET™, Q3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 195nC | |
Tiempo de disponibilidad | 300ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.02 g
Certificados
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* IXFN32N100Q3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 102.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 102.78 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 92.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 92.50 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 81.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 81.74 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und