IXFN360N10T
Módulo; transistor individual; 100V; 360A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN360N10T
Símbolo TME:
IXFN360N10T
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 100V | |
Corriente del drenaje | 360A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 2,6mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 900A | |
Poder disipado | 830W | |
Tecnología | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 525nC | |
Tiempo de disponibilidad | 130ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.9 g
Certificados
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* IXFN360N10T
229 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 28.86 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 28.86 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 27.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 27.08 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 24.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 24.34 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 undCartón = 60 und