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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	150V
Corriente del drenaje	310A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	4mΩ
Corriente del drenaje en impulso	900A
Poder disipado	1,07kW
Tecnología	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	715nC
Tiempo de disponibilidad	150ns
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

IXFN360N15T2

Módulo; transistor individual; 150V; 310A; SOT227B; atornillado

Especificación