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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	1,1kV
Corriente del drenaje	34A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	0,26Ω
Corriente del drenaje en impulso	100A
Poder disipado	890W
Tecnología	HiPerFET™, Polar™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	310nC
Tiempo de disponibilidad	300ns
Tensión puerta-fuente	±40V
Montaje mecánico	atornillado

IXFN40N110P

Módulo; transistor individual; 1,1kV; 34A; SOT227B; atornillado

Especificación