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IXFN48N60P

Módulo; transistor individual; 600V; 40A; SOT227B; atornillado


El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
IXFN48N60P
Símbolo TME:
IXFN48N60P

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión drenaje-fuente
600V
Corriente del drenaje
40A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Polarización
unipolar
Resistencia en estado de transferencia
0,14Ω
Corriente del drenaje en impulso
110A
Poder disipado
625W
Tecnología
HiPerFET™, PolarHV™
Clase de canal
enriquecido
Carga de puerta
150nC
Tiempo de disponibilidad
200ns
Tensión puerta-fuente
±40V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto36.99 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules IXYS,
*
IXFN48N60P
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 29.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 29.43 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 27.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 27.34 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 24.73 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 24.73 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 23.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 23.33 USD
Precio neto para cantidades a partir de 40 und - 22.61 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 40 und - 22.61 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 22.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 22.45 USD