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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	900V
Corriente del drenaje	56A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	0,145Ω
Corriente del drenaje en impulso	168A
Poder disipado	1kW
Tecnología	HiPerFET™, Polar™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	375nC
Tiempo de disponibilidad	300ns
Tensión puerta-fuente	±40V
Montaje mecánico	atornillado

IXFN56N90P

Módulo; transistor individual; 900V; 56A; SOT227B; atornillado

Especificación