IXFN64N50P

Name: IXYS IXFN64N50P
Brand: IXYS
SKU: IXFN64N50P
Availability: OutOfStock

Módulo; transistor individual; 500V; 50A; SOT227B; atornillado

El productor: IXYS

Denominación de fabricante:

IXFN64N50P

Símbolo TME:

IXFN64N50P

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 31.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 31.63 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 26.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 26.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 24.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 24.65 USD

Precio neto para cantidades a partir de 40 und - 23.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 40 und - 23.03 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 22.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 22.72 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und

Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	500V
Corriente del drenaje	50A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	85mΩ
Corriente del drenaje en impulso	150A
Poder disipado	625W
Tecnología	HiPerFET™, Polar™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	150nC
Tiempo de disponibilidad	200ns
Tensión puerta-fuente	±40V
Montaje mecánico	atornillado