NOVEDAD
IXFN70N100X
Módulo; 1kV; 65A; SOT227B; 1,2kW; HiPerFET™; 310ns; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN70N100X
Símbolo TME:
IXFN70N100X
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Tensión drenaje-fuente | 1kV | ||
Corriente del drenaje | 65A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Resistencia en estado de transferencia | 89mΩ | ||
Poder disipado | 1,2kW | ||
Tecnología | HiPerFET™ | ||
Tiempo de disponibilidad | 310ns | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto1 g
Certificados
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* IXFN70N100XNúmero de unidades (Multiplicidad: 300)
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Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 58.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 58.90 USD