IXFN82N60P
Módulo; transistor individual; 600V; 72A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN82N60P
Símbolo TME:
IXFN82N60P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 600V | |
Corriente del drenaje | 72A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 75mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 200A | |
Poder disipado | 1,04kW | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 240nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto29.69 g
Certificados
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* IXFN82N60PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 42.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 42.12 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 34.51 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 34.51 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 32.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 32.34 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und