IXFN82N60Q3
Módulo; transistor individual; 600V; 66A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN82N60Q3
Símbolo TME:
IXFN82N60Q3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 600V | |
Corriente del drenaje | 66A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 75mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 240A | |
Poder disipado | 960W | |
Tecnología | HiPerFET™, Q3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 275nC | |
Tiempo de disponibilidad | 300ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto27.3 g
Certificados
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* IXFN82N60Q3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 57.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 57.18 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 53.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 53.80 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 51.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 51.08 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und