IXGN320N60A3
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXGN320N60A3
Símbolo TME:
IXGN320N60A3
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión de retorno máx. | 0,6kV | ||
Corriente de colector | 170A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 1,2kA | ||
Poder disipado | 735W | ||
Tecnología | GenX3™, PT | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.12 g
Certificados
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* IXGN320N60A3Número de unidades (Multiplicidad: 300)
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Producto a pedido especial
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und