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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 75V | |
Corriente del drenaje | 225A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 7mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 720A | |
Poder disipado | 735W | |
Tecnología | Linear L2™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 546nC | |
Tiempo de disponibilidad | 206ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |