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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 46A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,16Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 100A | |
Poder disipado | 700W | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 260nC | |
Tiempo de disponibilidad | 0,6µs | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |