IXTN550N055T2
Módulo; transistor individual; 55V; 550A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN550N055T2
Símbolo TME:
IXTN550N055T2
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 55V | |
Corriente del drenaje | 550A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 1,3mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 1,65kA | |
Poder disipado | 940W | |
Tecnología | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 595nC | |
Tiempo de disponibilidad | 100ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.71 g
Certificados
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* IXTN550N055T2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.31 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 36.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 36.57 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und