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Fabricante	NTE Electronics
Tipo de transistor	P-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-200V
Corriente del drenaje	-6,8A
Corriente del drenaje en impulso	-44A
Poder disipado	125W
Carcasa	TO220
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	0,5Ω
Montaje	THT
Clase de canal	enriquecido

NTE2373

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W; TO220

Especificación